Наиболее существенное влияние на ток коллектора оказывают температурные изменения тока IК0, температурный сдвиг входных характеристик и температурные изменения коэффициентов α и β.
Ток IК0 представляет собой обратный ток коллекторного перехода, поэтому температурное изменение его можно оценить по известному соотношению обратного тока одиночного p–n-перехода:
I_{K0}(t^o)=I_{ОБР}(t^o)=I_{K0}(t_0^o)\cdot 2^{\displaystyle\frac{t^o-t_0^o}{\Delta_2t^o}}
Где t0º – начальная температура; ∆2tº– изменение температуры, соответствующее удвоению тока коллектора (примерно 8-10 градусов).
Увеличение температуры приводит к сдвигу входных характеристик в область меньших напряжений (аналогично сдвигу прямых ветвей ВАХ перехода). Температурный сдвиг оценивается температурным коэффициентом напряжения ТКН.
U_{БЭ}(t^o)=U_{БЭ}(t_0^o)+TKH\cdot (t^o-t_0^o), TKH\approx-2\displaystyle\frac {мВ} {град}
С увеличением температуры увеличивается время жизни неосновных носителей τ, что приводит к некоторому росту коэффициента α и более существенному изменению β.
\alpha(t^o)=\alpha(t_0^o)+TK\alpha\cdot (t^o-t_0^o), TK\alpha\approx10^{-4}\displaystyle\frac {1} {град}
Таким образом, с повышением температуры все три фактора действуют согласно и стремятся увеличить коллекторный ток биполярного транзистора.
Биполярные транзисторы являются приборами, параметры которых сильно подвержены температуре, поэтому схемы с биполярными транзисторами нуждаются в проведении температурного анализа работы.