Транзисторы со статической индукцией представляют собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, который может работать как при обратном смещении затвора (режим полевого транзистора), так и при прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора). В результате смешанного управления открытый транзистор управляется током затвора, который в этом случае работает как база биполярного транзистора, а при запирании транзистора на затвор подается обратное запирающее напряжение. В отличие от биполярного транзистора обратное напряжение, подаваемое на затвор транзистора, может достигать 30 вольт, что значительно ускоряет процесс рассасывания неосновных носителей, которые появляются в канале при прямом смещении затвора.
В настоящее время имеются две разновидности СИТ транзисторов.
Статический индукционный транзистор (СИТ)
Первая разновидность транзисторов, называемых просто СИТ, представляет собой нормально открытый прибор с управляющим p-n-переходом. В таком приборе при нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии. Перевод транзистора в непроводящее состояние осуществляется при помощи запирающего напряжения отрицательной полярности, прикладываемого между затвором и истоком. Существенной особенностью такого СИТ транзистора является возможность значительного снижения сопротивления канала в проводящем состоянии пропусканием тока затвора при его прямом смещении.
СИТ транзистор, как и полевой транзистор с изолированным затвором (ПТИЗ), имеет большую емкость затвора, перезаряд которой требует значительных токов управления. Достоинством СИТ по сравнению с биполярными транзисторами является повышенное быстродействие. Время включения практически не зависит от режима работы и составляет 20… 25 нс при задержке не более 50нс. Время выключения зависит от соотношения токов стока и затвора.
Для снижения потерь в открытом состоянии СИТ вводят в насыщенное состояние подачей тока затвора. Поэтому на этапе выключения, так же как и в биполярном транзисторе, происходит процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в открытом состоянии. Это приводит к задержке выключения и может лежать в пределах от 20нс до 5мкс.
Специфической особенностью СИТ транзистора, затрудняющей его применение в качестве ключа, является его нормально открытое состояние при отсутствии управляющего сигнала. Для его запирания необходимо подать на затвор отрицательное напряжение смещения, которое должно быть больше напряжения отсечки.
Биполярный транзистор со статической индукцией (БСИТ)
Вторая разновидность транзисторов получила название биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) У этих транзисторов напряжение отсечки технологическими приемами сведено к нулю. Благодаря этому БСИТ транзисторы при отсутствии напряжения на затворе заперты, так же как и биполярные транзисторы, что и отражено в названии транзистора — биполярные СИТ транзисторы.
Поскольку СИТ и БСИТ транзисторы относятся к разряду полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом, их схематическое изображение и условные обозначения одинаковы.
Таким образом, определить СИТ транзисторы можно только по номеру разработки, что весьма затруднительно, если нет справочника.
Несмотря на высокие характеристики СИТ и БСИТ транзисторов, они уступают ПТИЗ по быстродействию и мощности управления. К достоинствам СИТ транзисторов следует отнести малое сопротивление канала в открытом состоянии, которое составляет 0,1… 0,025 Ом.