В отличие от полевых транзисторов с управляющим p–n-переходом, в которых затвор имеет непосредственный электрический контакт с близлежащей областью токопроводящего канала, в полевых транзисторах с изолированным затвором (ПТИЗ или МДП) затвор изолирован от области токопроводящего канала слоем диэлектрика (Металл – Диэлектрик – Полупроводник).
МДП транзисторы выполняются из кремния. В качестве диэлектрика чаще всего используют окисел кремния SiO2. Отсюда название МОП (Металл – Окисел – Полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное сопротивление (1012–1014 Ом).
Принцип действия МДП транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля, созданного управляющим напряжением затвора. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов.
МДП транзисторы выполняют двух типов:
- со встроенным каналом;
- с индуцированным каналом .
МДП транзистор со встроенным n каналом
МДП транзистор со встроенным p каналом
МДП транзистор с индуцирован-ным n каналом
МДП транзистор с индуцирован-ным p каналом