Полупроводниковые приборы

Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером представляют собой зависимость коллекторного тока IК = f (UКЭ) при IБ = const. Так же, как и в схеме с общей базой, на выходных характеристиках можно выделить 3 характерные области: I – начальная II – слабая зависимость IК(UКЭ) III – пробой. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером выходные […]

Поскольку в отличие от полевого транзистора биполярный является прибором, управляемым током, а не напряжением, для построения статических характеристик биполярного транзистора в качестве независимых переменных удобно выбрать входной ток IВХ и выходное напряжение UВЫХ. Каждая схема включения характеризуется четырьмя семействами: семейство выходных характеристик; семейство входных характеристик; семейство переходных характеристик; семейство характеристик обратной связи. В качестве основных

Как и униполярные транзисторы, биполярные транзисторы можно включить тремя способами: с общей базой ОБ с общим эмиттером ОЭ с общим коллектором ОК Схема включения с общей базой (ОБ) Принцип работы транзистора был рассмотрен на примере схемы с общей базой. В схеме включения с общей базой входным (управляющим) током является ток эмиттера, выходным (управляемым) – ток

Ток через эмиттерный переход содержит электронную и дырочную составляющие: Дырочная составляющая замыкается через цепь базы и не участвует в управлении коллекторным током. Следовательно, для более эффективного управления этим током необходимо уменьшить долю дырочной составляющей тока эмиттера по сравнению с электронной. Эффективность работы эмиттерного перехода оценивают коэффициентом инжекции, который характеризует долю электронной (полезной) составляющей в общем токе

Биполярные транзисторы представляют собой трехслойные трехэлектродные полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими p–n переходами. Два p–n перехода реализуются в трехслойной полупроводниковой структуре с чередующимся типом электропроводности. Таким образом, в зависимости от последовательности чередования слоев существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n. Средняя область трехслойной структуры является основанием – базой и имеет тип электропроводности, противоположный крайним областям. Одна

Варикапом называется полупроводниковый диод, в работе которого используется зависимость емкости p–n-перехода от обратного напряжения. Варикапы применяются в качестве элементов с электрически управляемой емкостью в схемах перестройки частоты колебательных контуров, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей и др. Варикап работает при обратном напряжении, приложенном к p–n-переходу. Барьерная емкость перехода уменьшается по мере увеличения приложенного

   Симиcтop – полупроводниковый прибор, представляющий собой пятислойную полупроводниковую структуру, широко используется в системах, работающих с переменным напряжением. Упрощенно он может рассматриваться как управляемый электронный выключатель. В закрытом состоянии он ведет себя как разомкнутый выключатель. Напротив, подача управляющего тока на управляющий электрод симистора ведет к переходу его в проводящее состояние. В это время симистор подобен

Механизм работы тиристора можно пояснить на основе 2-х электродной структуры (динистора), схема включения которого представлена на рисунке. При обратном смещении к области p1 прикладывается отрицательный потенциал внешнего источник, а к области n2 – положительный потенциал. При этом оба крайних перехода смещены в обратном направлении, а центральный переход – в прямом направлении.  Вольт-амперная характеристика структуры при

Тиристоры – это четырехслойные полупроводниковые приборы, содержащие 3 взаимодействующих p–n-перехода и имеющие 2, 3 или 4 электрических вывода. Три p–n-перехода реализуются четырехслойной полупроводниковой структурой с чередующимся типом электропроводности. Если структура имеет выводы только от крайних областей, то такой прибор называется диод-тиристор или динистор. Если прибор имеет выводы от крайних и одной из средних областей то

При наличии третьего управляющего вывода – управляющего электрода, например от базы p2 появляется возможность задавать ток прямого смещения для p–n-перехода П3 и тем самым воздействовать на коэффициент передачи α2. Исследуемая схема включения триодного тиристора представлена на рисунке. Такой триодный тиристор называется тиристором с управлением по катоду. Значение суммы α1 + α2 может стать равным 1 уже