Admin

При наличии третьего управляющего вывода – управляющего электрода, например от базы p2 появляется возможность задавать ток прямого смещения для p–n-перехода П3 и тем самым воздействовать на коэффициент передачи α2. Исследуемая схема включения триодного тиристора представлена на рисунке. Такой триодный тиристор называется тиристором с управлением по катоду. Значение суммы α1 + α2 может стать равным 1 уже

Лазерный диод представляет собой полупроводниковый лазер, построенный на базе диода. Его работа основана на особенностях рекомбинации носителей в полупроводниковых материалах с определенным характером распределения разрешенных энергетических уровней в области p–n-перехода при инжекции носителей заряда. При определённых условиях, электрон и дырка перед рекомбинацией могут находиться в одной области пространства достаточно долгое время (до микросекунд). Если в

Объединение в одном светопроницаемом корпусе фотодиода и светодиода позволяет сформировать новый класс полупроводниковых приборов – оптоэлектронную пару (оптопару, оптрон). В качестве приемника излучения могут использоваться различные полупроводниковые приборы с оптическим характером входного воздействия (резистор, транзистор, тиристор и т.д.), что определяет тип оптрона. В настоящее время оптроны можно считать  основной элементной базой для формирования гальванического разделения

Светодиод представляет собой полупроводниковый оптоизлучающий прибор c p–n-переходом, излучающий свет при прохождении через него прямого тока. УГО фотодиода представлено на рисунке. Светодиоды находят широкое применение в электронной аппаратуре в качестве элементов освещения и различной индикации, а также образцовых источников оптического излучения. Принцип действия светодиода основан на эффектах и явлениях, возникающих при рекомбинации в полупроводниковых материалах

Фотодиод представляет собой полупроводниковый оптопреобразовательный прибор, в работе которого используется явление внутреннего фотоэффекта. Явление фотоэффекта возникает непосредственно в зоне p–n-перехода, поэтому для его возникновения фотодиод обязательно должен иметь оптический канал для проникновения излучения в зону перехода.  УГО фотодиода представлено на рисунке. Промышленно выпускаются фотодиоды на основе германия, кремния, арсенида галлия, сернистого серебра и др. Фотодиод

Диоды Шотки используют физические механизмы протекания электрического тока через область контакта металл-полупроводник. УГО диода Шотки представлено на рисунке. Особенностью диодов Шотки является отсутствие инжекции неосновных носителей заряда в базу, так как при подключении прямого напряжения ток обусловлен только движением основных носителей заряда. У этих диодов не затрачивается время на накопление и рассасывание зарядов в базе,

Туннельным называется полупроводни­ко­вый диод, в котором используется туннельный механизм переноса носителей заряда через p-n переход в прямом направлении, и на ВАХ которого формируется область отрицательного динамического сопротивления. Туннельные диоды отличаются очень малым удельным сопротивлением p и n областей (содержание примесей до 1021 1/см3) и весьма малой толщиной p-n перехода. Концентрация примесей в p и n