Admin

Полупроводниковым ста­билитроном (или опорным диодом) назы­ва­­ется полупроводнико­вый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока. Рабочим участком характеристики стабилитрона является область пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода, которая почти параллельна оси токов, а рабочим напряжением – напряжение пробоя, поэтому полярность подключения внешнего напряжения для опорных диодов, как правило, противоположна. При ограничении […]

Принципы действия полупроводниковых приборов основаны на эффектах и явлениях, возникающих в процессе протекания электрического тока в электронно-дырочном переходе. Электронно-дырочный переход представляет собой физическое объединение двух образцов полупроводникового материала с различным характером электропроводности. Поэтому такую физическую субстанцию называют также p–n-переходом. При рассмотрении свойств перехода будем полагать, что контакт полупроводниковых материалов p и n типа идеален, граница

Существуют две физические причины, способствующие направленному  движению заряженных частиц. Неравномерность концентрации носителей формирует диффузионные составляющие тока, описывающие перемещение носителей из областей с большей концентрацией в области с меньшей концентрацией. Электрическое поле, оказывающее силовое воздействие на заряженные частицы, создает дрейфовые составляющие токов. Каждый из токов может быть реализован потоком свободных электронов или дырок, тем самым формируются

В полупроводниковом материале подвижные носители тока распределены неравномерно по энергетическим уровням. В целом распределение носителей подчиняется законам квантовой статистики Ферми–Дирака. При этом вероятность нахождения электрона на энергетическом уровне с энергией W определяется функцией Ферми: где k – постоянная Больцмана, k = 1,38×10–23 Дж/K = = 0,86×10–4 эВ/K; WF – энергия, соответствующая уровню Ферми; Т –

К чистым полупроводникам обычно относят элементы 4 группы периодической системы, имеющие на внешней энергетической оболочке четыре валентных электрона. При формировании кристаллической решетки четыре валентных электрона атома полупроводника вступают в ковалентные связи с четырьмя электронами соседних атомов, при этом пространственная картина кристаллической решетки имеет вид тетраэдра. Плоскостная интерпретация пространственной картины кристаллической решетки имеет вид.  В парах

По способности проводить электрический ток вещества в природе можно подразделить на: проводники; полупроводники; диэлектрики. Учитывая, что электрический ток формируется направленным движением заряженных частиц, следует предположить, что причиной тока в кристаллических телах является направленное движение электронов, поскольку ядра атомов, формирующие кристаллическую решетку тела, перемещаться не могут. Механизм работы полупроводниковых приборов основан на эффектах и явлениях, возникающих

Импульсные диоды предназначены для работы с электрическими сигналами, имеющими ступенчатый характер изменения во времени и могут применяться в качестве ключевых элементов в устройствах импульсной техники. Под воздействием входного импульса положительной полярности происходит инжекция носителей в базовую область диода. Избыточная концентрация неосновных носителей может во много раз превышать равновесную. Изменение напряжения с прямого на обратное приводит

Высокочастотные диоды предназначены для преобразования переменного электрического тока в однонаправленный в радиочастотном диапазоне сигналов. Сверхвысокочастотные диоды обеспечивают электропреобразование в гигагерцовом диапазоне частот. Условное графическое обозначение ВЧ и СВЧ диодов соответствует стандартному УГО диода. Наличие барьерной емкости p-n перехода обуславливает возникновение обратной электропроводности, интенсивность которой определяется произведением величины барьерной емкости на частоту сигнала. Рост результирующего обратного

Выпрямительные диоды  предназна­че­ны для преобразования переменного электрического тока в однонаправленный. Условное графическое обозначение (УГО) выпрямительного диода соответствует общему УГО диода. При работе выпрямительного диода используют вентильные свойства вольт-амперной характеристики p-n перехода. Однако вентильность характеристики в рабочей области напряжения ухудшена в реальном диоде за счет наличия определенного омического сопротивления p и n областей полупроводника и токоподводов. Обычно оно составляет

Полупроводниковым диодом называется двухэлектродный электропреобразовательный прибор, принцип работы которого основан на использовании свойств одного p-n перехода. Общее условное графическое обозначение (УГО) диода Вывод от области p полупроводника получил название анода(А), а вывод от области n – название катода (К) по аналогии схарактером протекания тока в электронных лампах. Классификация диодов В зависимости от функционального назначения полупроводниковые диоды можно подразделить на: выпрямительные; высокочастотные