Admin

Транзисторы со статической индукцией представляют собой полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, который может работать как при обратном смещении затвора (режим полевого транзистора), так и при прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора). В результате смешанного управления открытый транзистор управляется током затвора, который в этом случае работает как база биполярного транзистора, а при запирании транзистора на затвор […]

В отличие от приборов с индуцированным каналом в транзисторах со встроенным каналом электропроводность между стоком и истоком существует даже при нулевом значении напряжения. В пластине кремния p-типа с помощью диффузионной технологии созданы области истока, стока и канала n типа. При наличии дополнительного вывода подложка подключается к истоку. Стоковые характеристики IC = f(UСИ) при UЗИ =

Принцип действия МДП транзистора с индуцированным каналом рассмотрим на примере МДП транзистора с индуцированным каналом n типа, включенного по схеме с общим истоком. При UЗИ = 0 канал отсутствует, и не пути между стоком и истоком оказываются два встречно включенных p–n-перехода. Поэтому при наличии напряжения UСИ > 0 ток в цепи стока будет ничтожно мал. Если подать на затвор

В отличие от полевых транзисторов с управляющим p–n-переходом, в которых затвор имеет непосредственный электрический контакт с близлежащей областью токопроводящего канала, в полевых транзисторах с изолированным затвором (ПТИЗ или МДП) затвор изолирован от области токопроводящего канала слоем диэлектрика (Металл – Диэлектрик – Полупроводник). МДП транзисторы выполняются из кремния. В качестве диэлектрика чаще всего используют окисел кремния

В простейшем случае данный тип транзисторов имеет двух­слойную структуру: один слой является затвором, а второй – каналом. Каждый слой снабжен контактами для подключения к внеш­ним цепям. С каналом n типа С каналом p типа Особенностью полевого транзистора является выполнение геометрической толщины области канала сравнимой с толщиной p–n-перехода, причем толщина канала в области стока делается большей,

Униполярные (полевые) транзисторы представляют собой трехэлектродные полупроводниковые приборы, принцип действия которых основан на изменении интенсивности электрического тока в полупроводнике под действием поперечного электрического поля, созданного управляющим напряжением. Термин «униполярные» подчеркивает, что проводимость электрического тока в таких транзисторах обеспечивается носителями только одного знака (электронами или дырками). Проводящий слой, через который течет регулируемый ток, называется каналом. Электрод,

Инерционные свойства биполярных транзисторов определяются в основном: процессами в базе; наличием цепей перезарядки емкостей переходов. При скачкообразном изменении тока эмиттера  ток коллектора не может измениться мгновенно, поскольку инжектированные электроны достигают коллекторного перехода через некоторое время задержки tЗ. После этого коллекторный ток начнет нарастать. Поскольку скорости отдельных носителей существенно различаются, рост тока идет неравномерно: сначала коллектора

Наиболее существенное влияние на ток коллектора оказывают температурные изменения тока IК0, температурный сдвиг входных характеристик и температурные изменения коэффициентов α и β. Ток IК0 представляет собой обратный ток коллекторного перехода, поэтому температурное изменение его можно оценить по известному соотношению обратного тока одиночного p–n-перехода: Где t0º  – начальная температура; ∆2tº– изменение температуры, соответствующее удвоению тока коллектора

Выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером представляют собой зависимость коллекторного тока IК = f (UКЭ) при IБ = const. Так же, как и в схеме с общей базой, на выходных характеристиках можно выделить 3 характерные области: I – начальная II – слабая зависимость IК(UКЭ) III – пробой. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером выходные

Поскольку в отличие от полевого транзистора биполярный является прибором, управляемым током, а не напряжением, для построения статических характеристик биполярного транзистора в качестве независимых переменных удобно выбрать входной ток IВХ и выходное напряжение UВЫХ. Каждая схема включения характеризуется четырьмя семействами: семейство выходных характеристик; семейство входных характеристик; семейство переходных характеристик; семейство характеристик обратной связи. В качестве основных